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PVD理论与技术
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● 磁控阴极弧源
星弧设备参数
普通设备参数
材料离化率
接近100%
80%
靶材利用率
40%
15%
冷却效果
优良
一般
● 磁控溅射源
星弧设备参数
普通设备参数
沉积均匀性
±5%
±10%
靶材利用率
50%
20%
结构设计
紧凑合理
-
● 阳极层离子束源
星弧设备参数
普通设备参数
离子能量
2000eV
1600 eV
沉积均匀性
±5%
±10%
应用范围
清洗,离子束辅助溅射,反应物理气相沉积
-
电源
单一直流电源
-
● 用于研发的真空镀膜及相关设备
● 其他真空设备的更新和改造
● 涂层中心的设立
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